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DMP2035UVT
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T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
100,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
10,000
T A = 125°C
1,000
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T A = -55°C
T A = 85°C
T A = 25°C
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T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
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1
2
4 6 8 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10,000
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
10
f = 1MHz
8
C iss
6
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4
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2
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C rss
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-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 12 Gate-Charge Characteristics
DMP2035UVT
Document number: DS35190 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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